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模擬靜電場描繪儀
導電微晶法靜電場描繪儀是由導電微晶、單層固定支架、導電微晶電*等組成；電*已制作在導電微晶上，并將電*引線接出到外接線柱上，電*間制作有導電率，小于電*且向均勻的導電介質。接通直流電源可以進行實驗，位置可直讀。
實驗目的：
1.模擬法測繪靜電場；
2.采用導電微晶法，電阻微晶結構，位置可直讀；
規格參數：
單層結構：減小雙層結構不同軸帶來的誤差；
描繪平臺：約200*200*4mm，電*可*換；
鍍金彈性探頭，接觸電阻小，接觸穩；
電*數量；2個，同軸電纜、長平行導線（可選配3個：點與平板、平行板、**）；
電阻微晶：約125*125*0.2mm均勻、耐磨；
電*規格：約200*150*3mm（不容易破損，減少玻璃易破的確點）；
電壓輸出：DC 0-12V數顯，連續可調；
精度范圍：0.01V，短路保護功能；
直流電壓測量：0-19.99V；
電壓測量精度：0.01V；
等勢線位置橫坐標與縱坐標數字顯示；精度：0.01mm；
配電阻微晶鍍金電*板：同軸電纜、長平行導線，電*板可*換